РФ не сможет повторить успех Тайваня в чипах, но интеграция с КНР ускорит развитие – НТИ

Опыт Тайваня в построении мирового центра производства полупроводников не может быть повторен на территории России в силу постепенного характера этого развития и иных условий рынка, но консолидация с крупными партнерами по примеру Тайваня поможет РФ развить собственную микроэлектронную базу, считает заместитель руководителя Центра компетенций Национальной технологической инициативы (НТИ) по технологиям беспроводной связи и интернета вещей на базе Сколтеха Александр Сиволобов.

“Тайваньское полупроводниковое чудо было сотворено не внезапно. Сначала появились серьезные американские, европейские и японские научные центры, производители оборудования и материалов, дизайн-центры. Кроме того, возник массовый глобальный спрос на чипы. Все это подпитывало молодую тайваньскую индустрию людьми, оборудованием, технологиями и обеспечивало спрос. Так что тайваньский опыт скопировать не получится. Однако урок о том, что для развития полупроводниковой отрасли нужны очень серьезные партнеры, мог бы быть полезным. Сделаю прогноз, что большой пласт работы будет заключаться в интеграции с Китаем по этому направлению”, – сказал Сиволобов ТАСС в среду на конференции “Цифровая индустрия промышленной России” (ЦИПР) в Нижнем Новгороде.

Оценивая перспективы перехода разработчиков в России с 90-нанометровых чипов на 7-нанометровые, ученый указал на необходимость прохождения промежуточных технологических этапов на этом пути. “Уже это будет свидетельством прогресса и серьезным подспорьем для отрасли. К примеру, нам для производства оборудования для мобильных сетей желательно получить ускорители, выпущенные по техпроцессам 45-28 нм. Думаю, что переход к 65 нм вполне возможен в обозримом будущем”, – пояснил эксперт.

При этом запуск производства микрочипов в категориях менее 65 нм потребует от отечественной индустрии “создать себя заново” в условиях нехватки оборудования, заключил представитель Центра компетенций НТИ.

В феврале сообщалось о том, что в России будет разработан рентгеновский литограф для производства современных чипов. Его создадут в рамках научной программы Национального центра физики и математики (НЦФМ, Саров, Нижегородская область).

Источник: ТАСС

Автор: Mariam

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *