Источник: ТАСС
Ученые Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета имени Алферова (Алферовский университет), состоящего в консорциуме Центра компетенций НТИ «Фотоника», разработали наноразмерный источник оптического излучения (фотонов) для оптоэлектронных чипов. Такой источник, интегрированный на чип вблизи волновода, позволяет существенно увеличить скорость передачи данных в устройствах, рассказали ТАСС в Центре компетенции НТИ «Фотоника».
«Проект посвящен созданию и исследованию сверхкомпактных источников оптического излучения на основе туннельного контакта с массивом наноантенн в тонких слоях золота. Обнаружено, что внедрение таких наноструктур увеличивает внешнюю квантовую эффективность более чем в 10 раз, что открывает новые перспективы для применения в оптоэлектронике и квантовых технологиях», — сообщил сотрудник лаборатории возобновляемых источников энергии СПбАУ РАН имени Алферова Никита Соломонов.
По словам исследователя, ранее источники подобного типа в массовых технологиях производства не применялись из-за низкой квантовой эффективности — из десятков миллионов туннелирующих электронов генерировался всего один фотон, что не давало необходимого уровня сигнала. Новый метод использования наноантенн, напечатанных фемтосекундными лазерными импульсами (лазерами сверхкоротких импульсов) на золотой пленке, совместим с промышленными технологиями производства и приводит к увеличению эффективности излучения. Такой источник излучения, расположенный на чипе вблизи волноводов, повышает производительность фотонных интегральных схем и обеспечивает энергоэффективность и компактность отечественных оптоэлектронных систем, отметили в Алферовском университете.
Свежие комментарии