Российские ученые и инженеры из АО «НИИТМ» (входит в ГК «Элемент»), НТЦ микроэлектроники РАН (Санкт-Петербург) и ООО «Софт-Импакт» разработали первую в стране установку для выращивания кристаллов нитрида галлия на кремниевых пластинах. Оборудование позволяет получать структуры на подложках диаметром до 200 мм.
Как объяснили специалисты, это один из ключевых этапов в создании компонентной базы для силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники — устройств, которые широко используют в блоках питания, преобразователях и накопителях энергии. Внедрение разработки позволит локализовать в нашей стране одну из критически важных технологий. В настоящее время изготовлен опытный образец установки. Их серийное изготовление планируют начать в следующем году.
Сейчас нитрид-галлиевые компоненты в основном используют для передатчиков базовых станций мобильной связи. Их можно применять в инверторах и преобразователях тока. Минус таких устройств по сравнению с конкурирующими технологиями — в ограниченном диапазоне рабочих напряжений (650–1200 В), а также в плохом теплоотводе (в четыре раза меньше, чем в технологиях на базе карбида кремния). При этом нитрид галлия дает выигрыш в размерах, а карбид кремния более устойчив к перегрузкам, — пояснил заведующий лабораторией молекулярного моделирования Центра компетенций НТИ «Цифровое материаловедение: новые материалы и вещества» МГТУ им. Н.Э. Баумана Евгений Александров
По его словам, технологии на основе нитрида галлия перспективны в сетях 5G-интернета, где за счет их более высоких частотных характеристик можно увеличить скорость передачи данных. Кроме того, такие технологии позволяют передавать сигнал на большее расстояние. Вместе с тем нитрид-галлиевые приборы позволяют уменьшить массу металл-ионных аккумуляторов, масштабное производство которых разворачивается в нашей стране.
Источник: Известия
Свежие комментарии